Allgemeine Informationen 

Hersteller: Centrotherm  

Technische Daten 

Ofen-Kammer 1 
  • Beschichtungssubstanzen: Ammoniak/Dichlorsilan
  • Prozess: Nitrierung zu Si3O4
  • Temperatur: 700°C

Ofen-Kammer 2

  • Prozessgas: Phosphoroxychlorid (POCI3)
  • Prozess: n-Dotierung
  • Temperatur: bis 950 °C

Ofen-Kammer 3

  • Beschichtungssubstanz: Borofilm 100
  • Prozess: p-Dotierung
  • Temperatur: bis 1200 °C

Ofen-Kammer 4

  • Prozessgase: O2 / H2
  • Prozess: trockene / feuchte Oxidbildung
  • Temperatur: bis 1200°C
 

Beschreibung 

In den vier Kammern des Diffusionsofens können an Siliziumsubstraten verschiedene thermische Prozesse wie z.B. Oxidation, Nitridabscheidung und Diffusion (Dotierung) durchgeführt werden. Diese sind Voraussetzung für die Realisierung vieler mikroelektronischer Schaltungen. 

Die Dotierung von Silizium wird in den Kammern 2 und 3 durchgeführt. Als Prozessgase stehen hier Phosphoroxychlorid bzw. Bor(III)bromid zur Verfügung.

Die Schichtabscheidung an Silizium kann z.B. durch thermische Oxidation des Siliziumsubstrates selbst (Kammer 4) oder durch Hilfsstoffe z.B. Ammoniak (Kammer 1) erreicht werden. Abscheidungsprozesse laufen im Diffusionsofen bei Temperaturen bis zu 1.200 °C ab.