Allgemeine Informationen 

Hersteller: STS Surface Technology Systems GmbH  

Typ: 308 PC Barrel Etching System

 

Technische Daten 

Typ. Arbeitsdruck  
  • 100 Pa

Prozesstemperatur

  • 70 °C - 120 °C

Typ. Uniformität

  • +/- 10 %

 Substrate

  • 4"-Wafer, max. vier Carrier (100 Stück) im Batch

Beschreibung 

Die Prozessanlage wird eingesetzt zum Entfernen von Fotoresist, zum Reinigen und Aktivieren von Oberflächen sowie zum isotropen Plasmaätzen. Die Aluminium-Prozesskammer ist zylindrisch und kann von der Seite beladen werden. Die Ätzgase werden über die zentrale Gaseversorgung mittels Mass Flow Controllern (MFC) kontrolliert zugeführt. Zur Verfügung stehen verschiedene Gaslinien (z. B. O2, CF4) sowie Spülgaslinien (N2). Die Prozesskammer kann mittels Drehschieberpumpe evakuiert werden. Die RF-Plasma-Anregung erfolgt mit 13,56 MHz bis max. 600 Watt. Der rein chemische Ätzvorgang erfolgt durch reaktive Radikale, das Ätzprofil ist isotrop, die Selektivität hoch.