Allgemeine Informationen 

Hersteller: EV Group (EVG)   

Typ: EVG®620, EVG®420 (double-sided alignment systems)

 

Technische Daten 

Substrate/Wafer   
  • 100 mm/ 4" Dicke 0.1-10 mm

Fotomasken

  • 5"

Alignment

  • Top side alignment: ± 1.0µm 3 sigma
  • Bottom side alignment: ± 1.25µm 3 sigma
  • IR alignment (Substratabhängig)
  • Large gap alignment: ± 1.5µm 3 sigma
  • Bond alignment
  • Precision micrometers: manual (EVG®420), motorized (EVG®620)
  • Wedge compensation: Internal 0.5 - 40N contact force, proximity spacers

Exposure

  • Modes: Proximity, soft-, hard, and vacuum contact
  • Resolution: <1µm in vacuum contact, </= 2µm in proximity
  • Wave length: 350 - 450nm, filters
  • Mercury arc lamp: 500 W

Beschreibung 

Mit den Mask-Alignern werden für die fotolithographische Übertragung der Mikrostrukturen von einer Fotomaske auf ein beschichtetes Substrat diese zueinander ausgerichtet und anschließend mit UV-Licht belichtet. Die Ausrichtung erfolgt optisch kontrolliert anhand von Justiermarken (‚alignment marks‘) die auf Maske und Substrat vorliegen. Die Belichtung erfolgt im Breitbandspektrum, kann durch gezielten Einsatz von Filtern aber auch in einem ausgewählten Wellenlängenbereich (z. B. i-Linie / 365nm) erfolgen.