Plasma-Enhanced Chemical Vapour Deposition (plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung)

Allgemeine Informationen 

Hersteller: STS Surface Technology Systems GmbH Typ: 310 PC  

Technische Daten 

Typ. Arbeitsdruck  
  • 650 mTorr

Abscheiderate

  • SiO2 75 nm/min
  • Si3N4 20 nm/min

Typ. Schichtdicken

  • 600 nm SiO2
  • 100 nm Si3N4

 Prozesstemperatur

  • 300 °C

Substrate

  • 4 "-Wafer, max. vier Substrate im Batchverfahren

Beschreibung 

Mit der am IMT vorhandenen PECVD Anlage lassen sich Siliziumdioxid- und Siliziumnitridschichten auf einer Oberfläche abscheiden. Hierbei wird die chemische Abscheidung durch ein Plasma unterstützt, wodurch geringere Prozesstemperaturen benötigt werden, sodass auch Beschichtungen niedrig schmelzender Metalle (z.B. Aluminium) möglich sind. Um Siliziumdioxid herzustellen, finden die Prozessgase Silan (SiH4) und Distickstoffmonoxid (N2O) Einsatz. Zur Herstellung von Siliziumnitrid werden Silan und Ammoniak (NH3) verwendet. Die entsprechenden Gase werden über die zentrale Gaseversorgung mittels Mass Flow Controllern (MFC) kontrolliert in die Prozesskammer eingeleitet. In der Prozesskammer herrscht ein typischer Arbeitsdruck von etwa 650 mTorr.  Die eingeleiteten Gase werden durch RF-Anregung mit 13,56 MHz ionisiert. Die im Plasmazustand befindlichen Gase sind sehr energiereich und reagieren auf der ca. 300 °C heißen Substratoberfläche zu der gewünschten Schicht.